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CMP设备
  • 配备机械手臂1个,可上下卡塞。
  • 配备2个研磨单元,3腔控制。
  • 配备终点检测系统,可对每个工艺步骤的工艺参数进行编辑,按程序对晶片表面薄膜进行平坦化抛光。

详细参数

/ DETAILED PARAMETERS

适用材料: 

主要用于4-8英寸STI、ILD/IMD、TSV、TGV材质的晶圆抛光及SiC、LT、LN、GaAs等化合物材质的晶圆表面抛光。

应用领域:

广泛应用于半导体材料衬底减薄抛光、器件制备、先进封装及MEMS等相关领域,

例如TC-SAW、FBAR、激光器、硅光子器件、TSV、SIP、Fan-out、MEMS高温压力传感器、MEMS陀螺仪等。








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