样品初始情况:
材料:530um的硅基底的多层片,无包层;
最终工艺要求:
显微镜下镜面,工作面为长边端面,保留贯穿通道,通道无崩边。
工艺总结:
1、本次样品使用了HSM-L设备加工后,保留通道完整,两边端面通过抛光达到镜面;
2、抛光过程中常见问题主要包括面型误差、表面划痕、麻点、化学腐蚀以及几何形状缺陷等,
这些问题影响表面质量:如抛光盘直径过大使边缘切削过量,摆动幅度过大导致中心切削过多,
抛光液粒度不均、环境不洁、抛光垫过硬造成划痕,抛光时间不够或抛光液浓度过高也会影响粗糙度。
样品初始情况:
材料:530um的硅基底的多层片,无包层;
最终工艺要求:
显微镜下镜面,工作面为长边端面,保留贯穿通道,通道无崩边。
工艺总结:
1、本次样品使用了HSM-L设备加工后,保留通道完整,两边端面通过抛光达到镜面;
2、抛光过程中常见问题主要包括面型误差、表面划痕、麻点、化学腐蚀以及几何形状缺陷等,
这些问题影响表面质量:如抛光盘直径过大使边缘切削过量,摆动幅度过大导致中心切削过多,
抛光液粒度不均、环境不洁、抛光垫过硬造成划痕,抛光时间不够或抛光液浓度过高也会影响粗糙度。
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