样品初始情况：
材料：硅镀铜；尺寸：4英寸 ；形状：圆片；厚度：500μm左右；
最终工艺要求：
将表面的铜削掉；最终平整度＜100nm；最终粗糙度＜10nm，孔边缘位置凹陷粗糙度20-30nm。
工艺总结：
1.本次样品使用了HSM-CMP设备加工后，样品表面铜层去除；最终平整度＜100nm；最终粗糙度＜10nm；达到了最终工艺要求。
2.由于样品的工艺结果，是由各个工艺参数相互配合，可根据工艺需求做出相应调整，达到更好的 工艺结果，工艺稳定后，可优化工艺参数：①压力控制；②摆动幅度与偏心距；③磨料浓度。
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