样品初始情况：
材料：单晶金刚石；尺寸：10*10mm ；形状：方片；厚度：460um ±20nm；粗糙度：120nm；
最终工艺要求：
单晶金刚石:粗糙度<0.5nm。
工艺总结：
1、本次样品使用了HSM-LP设备加工后，样品表面粗糙度＜0.4nm；达到了最终工艺要求。
2、抛光过程中常见问题主要包括面型误差、表面划痕、麻点、化学腐蚀以及几何形状缺陷等，
这些问题影响表面质量：如抛光盘直径过大使边缘切削过量，摆动幅度过大导致中心切削过多，
抛光液粒度不均、环境不洁、抛光垫过硬造成划痕，抛光时间不够或抛光液浓度过高也会影响粗糙度。
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