样品初始情况：
材料：硅基底镀膜；尺寸：10x10mm ；形状：方片；厚度：膜层5um；
最终工艺要求：
保留膜层4um，粗糙度＜1nm。
工艺总结：
1、本次样品使用HSM-L设备加工后，去除膜层4um，粗糙度＜1nm，达到了最终工艺要求；
2、由于样品的工艺结果，是由各个工艺参数相互配合，可根据工艺需求做出相应调整，达到更好的工艺结果，工艺稳定后，可优化工艺参数：①压力控制；②摆动幅度与偏心距；③磨料浓度。
GaN薄膜抛光
样品初始情况：
材料：硅基底镀膜；尺寸：10x10mm ；形状：方片；厚度：膜层5um；
最终工艺要求：
保留膜层4um，粗糙度＜1nm。
工艺总结：
1、本次样品使用HSM-L设备加工后，去除膜层4um，粗糙度＜1nm，达到了最终工艺要求；
2、由于样品的工艺结果，是由各个工艺参数相互配合，可根据工艺需求做出相应调整，达到更好的工艺结果，工艺稳定后，可优化工艺参数：①压力控制；②摆动幅度与偏心距；③磨料浓度。
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