客户样品初始状态：

材料：蓝宝石衬底外延GaN；尺寸：4寸；形状：标准圆片；厚度：1.5um+300nm±20nm；

加工后指标要求：

样品1GaN 外延片:最上部介质层剩余300士20nm;平整度均匀性<5%;粗糙度<0.5nm。

工艺解析：

Step1粗抛阶段：使用我司HS系列设备，配备不锈钢抛光盘结合软质抛光垫（如聚氨酯或绒布），采用粒径更小的特制化学氧化铝混合磨料，降低压力至30-60g/cm²，转速30–60 rpm，，可将表面粗糙度降至Ra 2–5 nm。

Step2精抛处理：以Step1为基础，更换硅溶胶抛光液，精抛抛光布，进一步抛光至粗糙度＜0.5nm。

案例配套主机与耗材：HS磨抛一体机、HSM-WB粘片机系列粘片机、氧化铝研磨粉、化学抛光液、硅溶胶抛光液和聚氨酯抛光垫等。

客户反馈：选用我司配套机台及耗材，可批量稳定实现要求指标，并能够逐步优化工艺提升指标。