样品初始情况：
材料：500um+500um的硅基底的4寸键合片；
最终工艺要求：
保留砷化镓厚度30um，粗糙度1nm。
工艺总结：
1、本次样品使用了HSM-L设备加工后，保留砷化镓厚度30um，粗糙度1nm；
2、抛光过程中常见问题主要包括面型误差、表面划痕、麻点、化学腐蚀以及几何形状缺陷等，
这些问题影响表面质量：如抛光盘直径过大使边缘切削过量，摆动幅度过大导致中心切削过多，抛光液粒度不均、环境不洁、抛光垫过硬造成划痕，抛光时间不够或抛光液浓度过高也会影响粗糙度。
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