客户样品初始状态：

材料：GaAs+硅；尺寸：4寸；形状：标准圆片；厚度：625 μm+625 μm；

加工后指标要求：

硅625um+ GaAs100um±20um

工艺解析：

Step1研磨阶段：使用我司HS系列设备，配备刻槽玻璃研磨盘，研磨压力60–80 g/cm²，转速20–50 rpm，以氧化铝粉（粒径20μm）为研磨浆料，可快速去除晶圆厚度，达到快速厚度去除目标。

Step2粗抛阶段：使用我司HS系列设备，配备不锈钢抛光盘结合软质抛光垫（如聚氨酯或绒布），采用粒径更小的特制化学氧化铝混合磨料，降低压力至30-60g/cm²，转速30–60 rpm，，可将表面粗糙度降至Ra 2–5 nm。

Step3终抛处理：以Step2为基础，更换硅溶胶抛光液，进一步抛光至粗糙度＜1nm。

案例配套主机与耗材：HS磨抛一体机、HSM-WB粘片机系列粘片机、氧化铝研磨粉、化学抛光液、硅溶胶抛光液和聚氨酯抛光垫等。

客户反馈：选用我司配套机台及耗材，可批量稳定实现要求指标，并能够逐步优化工艺提升指标。